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CN201210026732.9

專利類型:

發(fā)明

IPC 分類號(hào):   

B81C1/00 H01Q15/00

應(yīng)用領(lǐng)域:  

人工電磁材料

摘要:   

本發(fā)明涉及一種基于三層結(jié)構(gòu)的可調(diào)諧人工電磁材料及其制作方法，該人工電磁材料是由金屬-摻雜介質(zhì)-金屬三層結(jié)構(gòu)組成的微納米圖形結(jié)構(gòu)，可用于紅外、太赫茲波段。其制作方法包括：選擇絕緣硅，利用沉積、粘結(jié)、干法刻蝕、濕法腐蝕、再沉積的技術(shù)，在基片上獲得金屬-摻雜介質(zhì)-金屬的三層結(jié)構(gòu)；在三層結(jié)構(gòu)之上進(jìn)行光刻，獲得光刻膠圖形；利用離子束刻蝕將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到金屬膜層上，即可獲得基于金屬-摻雜介質(zhì)-金屬三層結(jié)構(gòu)的人工電磁材料。本發(fā)明的制作方法避免了常規(guī)方法如濺射、離子注入、鍵合等方法制備摻雜硅帶來的摻雜難、摻雜不均、摻雜層厚度難控制等缺點(diǎn)，工藝簡單，易于控制，是人工電磁材料的一種高效可靠的制作方法。

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